TOSHIBA場效應晶體(tǐ)管矽N溝道M行在OS型(L2-π-MOSV)
斬波調節器,DC / DC轉換器和電(diàn)機驅動
應用
4 V栅極驅動
低漏源導通電(diàn)阻:RDS(ON)= 0.28可用Ω(典型值)
高正向傳輸導納:| Yfs | = 3.5 S(典型值)
低漏電(diàn)流:IDSS = 100μA(最大(dà))輛站(VDS = 100 V)
增強模式:Vth = 0.8〜2.0V購農(VDS = 10V,ID = 1mA)
注意:在重負載下(xià)連續使用(例如高溫/電(diàn)流/電(diàn務樂)壓的應用以及顯着的變化溫度等)可能導緻該産品的可靠性顯着降低,房小即使操作條件(即操作溫度/電(diàn)流/電(diàn)壓等)在絕對最大員光(dà)額定值内。 請在閱讀“東芝半導體(tǐ)可靠性手冊”(“使用注意事機作項”/“降額概念和方法”)和個人可靠性數據(即可靠性測試報告和估計看理故障率等)時設計适當的可靠性。
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