TOSHIBA場效應晶體(tǐ)管矽N溝道MOS型(π-MOSIII)
DC-DC轉換器,繼電(diàn)器驅動和電(diàn)機驅動區老應用
低漏 - 源導通電(diàn)阻:RDS(ON)= 1.2Ω(典型值去湖)
高正向傳輸導納:| Yfs | = 7.0 S(典算男型值)
低漏電(diàn)流:IDSS = 100μA(最大(dà))(VDS =月裡 720 V)
增強模式:Vth = 2.0至4.0V(VDS = 10V,間船ID = 1mA)
注意:即使在工(gōng)作條件(即工(gōng)作溫度/電(diàn著高)流/電(diàn)壓)下(xià),連續在重負載下(xià)使用(例如高業費溫/電(diàn)流/電(diàn)壓的快票應用和溫度的顯着變化等) 電(diàn)壓等)在絕對最大(dà)額定值内討小。 請在閱讀“東芝半導體(tǐ)可靠性手冊”(“使用說秒注意事項”/“降額概念和方法”)和個人可靠性數據(即可靠性測試報告和估計化山故障率等)時設計适當的可靠性。
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