TOSHIBA場效應晶體(tǐ)管矽N溝道MOS型(π-間機MOSVI)
開(kāi)關穩壓器應用
•低漏源導通電(diàn)阻:RDS(ON)= 0.54Ω(機有典型值)
•高正向傳輸導納:| Yfs | = 8.5 S(典型值)
•低漏電(diàn)流:IDSS = 100μA(最大(dà))(VDS還海 = 600 V)
•增強模式:Vth = 2.0至4.0 V(VDS = 1話見0 V,ID = 1 mA)
注意:即使在工(gōng)作條件(即工(g月術ōng)作溫度/電(diàn)流/電(diàn術通)壓)下(xià),連續在重負載下(xià)使用(例如高溫/電(diàn風街)流/電(diàn)壓的應用和溫度的顯着變化等) 長件電(diàn)壓等)在絕對最大(dà)額定值内。 請在閱讀“東芝半導體(tǐ醫媽)可靠性手冊”(“使用注意事項”/“降額概念和方法”)和個人可靠性數據(即姐錯可靠性測試報告和估計故障率等)時設計适當的可爸司靠性。
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