TOSHIBA場效應晶體(tǐ)管矽N溝道MOS型(π-MOSIV件雜)
開(kāi)關穩壓器應用
•低漏源導通電(diàn)阻:RDS(ON線志)= 1.0Ω(典型值)
•高正向傳輸導納:⎪Yfs⎪= 7.0 S(典型值)
•低漏電(diàn)流:IDSS = 100μA(最又是大(dà))(VDS = 720 V)
•增強型号:Vth = 2.0至4.0 V(VDS可區 = 10 V,ID = 1 mA)
注意:即使操作條件(即操作溫度/電(diàn)流/電(diàn)壓樹綠等),在重負載下(xià)連續使用(例如施加高溫/電(diàn子了)流/電(diàn)壓和溫度顯着變化等) 電(diàn)壓等)在絕對最大(d爸討à)額定值内。 請在閱讀“東芝半導體(tǐ)可靠性手冊”(“使有服用注意事項”/“降額概念和方法”)和個人可靠性數據(即可靠性測試報告和估計國西故障率等)時設計适當的可靠性。
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