TC58CYG1S3HxAIx是用于支持SPI接口的嵌入式應用子笑的串行接口NAND閃存。
TC58CYG1S3HxAIx組織為(2048 + 64)麗房字節×64頁×2048塊。 該器件具有211筆的2字節的數據緩沖器,允許以2112字節的增量草視在緩沖器和存儲器單元陣列之間傳輸編程和讀取數據。 擦除操作在單個塊單元(12舊麗8K字節+ 4KB:2112字節×64頁)中(zhōng)實現。 器件具有用于外為順序頁讀取操作的高速模式。 當使能高速模式時黃遠,tR的平均值縮短。
TC58CYG1S3HxAIx芯片上具有ECC邏輯,可以糾正每那信個(512字節+ 16字節)的8位讀取錯誤。 内部ECC邏輯具有歌玩詳細的位翻轉計數報告。
定義和縮寫
SPI
串行外(wài)設接口。
地址
該地址由具有12bits的列地址(CA)和具有對站17位的行地址(RA)組成。 行地址标識要訪問的頁和塊公煙。 列地址标識要訪問的頁面内的字節。
柱
頁面中(zhōng)的字節位置。
行
請參閱要訪問的塊和頁面。
部門
一(yī)個頁面中(zhōng)的512字節單位拿木。
頁
讀取和程序操作的最小(xiǎo)可尋址單自要位。
塊
由多頁組成,是擦除操作的最小(xiǎo)可尋址單元。
數據緩沖區
用于将數據傳輸到單元陣列和從單元陣列傳輸數據的緩沖區。
單元陣列
NAND閃存的存儲單元
設備
封裝的NAND單元。
特性:
組織
組織(内部ECC已啟用,默認)
存儲單元陣列2112×64×2048×8位
數據緩沖器2112×8位
頁面大(dà)小(xiǎo)2112字節
塊大(dà)小(xiǎo)(128K + 4K)字節
組織(内部ECC已禁用)
存儲單元陣列2176×64×2048×8位
數據緩沖器2176×8位
頁面大(dà)小(xiǎo)2176字節
塊大(dà)小(xiǎo)(128K +內還 8K)字節
ECC
每個512字節需要8位ECC。 該器件内部具有E草音CC邏輯。
模式
頁讀取,頁編程,塊擦除,内部數據移動,複位見票,寫使能,寫禁止,塊鎖定,獲取功能,設置功能,塊保護,參數頁讀取,讀ID,唯一地火(yī)ID讀。
電(diàn)源VCC = 1.7 V至1.95 V
訪問時間
單元陣列到數據緩沖器155μsmax
&nb知市sp; 70 μs t懂男yp
數據傳輸速率104 MHz以下(xià)
編程/擦除時間
編程時間360μs/頁typ
塊擦除時間2.7 ms /塊typ
工(gōng)作電(diàn)流
讀操作電(diàn)流w / HSE on(平均)21 mA答議 max
讀取操作電(diàn)流w / HSE關閉(平均)15 mA最大(d地厭à)
程序工(gōng)作電(diàn)流(平均)18 mA放好最大(dà)
擦除操作電(diàn)流(平均)22 mA最大(dà)
待機電(diàn)流最大(dà)180μA
&nb多山sp; 35μA(典型值)
可靠性參見可靠性說明。
封裝: SOP16 (P-SOP16-1吃志111-1.27-001)
WSON8 (P-WSON8-0608用下-1.27-003)
引腳分(fēn)配:
Copyright © 2014 北(běi)京芯計校時代電(diàn)子科技發展有限公司.All Rights Re書器served 京ICP備14049430号 步進電(diàn)機驅動芯片 步進電(diàn)機