MOSFET P溝道 -20V -3.9A SOT-23 電月科(diàn)源管理開(kāi)關應用
TOSHIBA Field-Effect Transistor Sili什電con P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ)
Power Management Swi醫銀tch Applications
Power Management Switc農海h Applications
Unit: mm
• 1.5-V drive | 0.42+0.08-0.05 | 0.17 | +0.08 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
0.05 | M | A | -0.07 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
• Low ON-r花和esistance: RDS(ON) = 240 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RDS(ON) = 168 mΩ (max) 煙什(@VGS = -1.8 V) | 1.8±0.1 | 2.4±0.1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RDS(ON) = 123 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RDS(ON) = 93 mΩ (ma鐵知x) (@VGS = -4.5 V) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1 | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Absolute Maximum Rati下身ngs (Ta = 25°C) | 0.95 | 0.95 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2.9±0.2 | A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Characteristic | Symbol | Rating | Unit | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Drain-source voltage | VDSS | -20 | V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
+0.08 | -0.05 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Gate-source voltage | VGSS | ± 8 | V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
0.8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Drain current | DC | ID (Note 1)飛大 | -3.9 | A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Pulse | IDP (Note 1) | -7.8 | 1: Gate | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Power dissipation | PD (Note 2) | 1 | W | 2: Source | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
t = 10s | 2 | SOT-23F | 3: Drain | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Channel temperature | Tch | 150 | °C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Storage temperature range | Tstg | −55 to 150 | °C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JEDEC | ― | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Note: Using continuously under 議理heavy loads (e.g. the appl農科ication of high |
temperature/current/voltage and &少著nbsp;the significant &n我喝bsp;change in | |||||
temperature, etc.) m雪是ay cause this product外公 | to | decrease in the | |||
reliability | significantly | even if the &窗視nbsp;operating | conditions | (i.e. | |
operating | temperature/current/voltage, e近空tc.) | are within | the |
absolute maximum ratings.
Please design the appr唱飛opriate reliability upon 為知reviewing the Toshiba Semicon要開ductor Reliability Handbook (“Handl筆暗ing Precautions”/“Deratin問都g Concept and Methods”) an船兒d individual reliability d長慢ata (i.e. reliability tes喝技t report and estimated failure ra了舊te, etc).
Note 1: The channel t空子emperature should not exceed 150°C during use.
Note 2: Mounted on a FR4 是紙board.
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 645 花行mm2)
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